پيشرفت مهم در تراشه هاي رايانه اي
ايرنا: آي بي ام و اينتل در تحقيقاتي جداگانه و تقريباً همزمان، به يكي از مهمترين پيشرفت ها در توليد تراشه هاي رايانه اي در 4 دهه اخير دست يافته اند.
به گزارش رويترز، در فناوري جديد ابداع شده توسط شركتهاي آي بي ام و اينتل، به جاي عنصر سيليكون از فلز هافنيوم(Hafium) براي تنظيم جريان برق درون ترانزيستورها استفاده مي شود. ترانزيستورها سوئيچ هاي ريزي درون تراشه ها هستند كه وظيفه قطع و وصل جريان برق را بر عهده دارند. اين فناوري علاوه بر امكان توليد نسل بعدي تراشه ها با مدارهاي ??نانومتري، حتي راه را براي توليد نسل بعد از آن يعني تراشه هاي ??نانومتري نيز هموار مي كند.
|